技术细节

• 零件状态 Active
• 内存类型 Non-Volatile
• 内存格式 FLASH
• 技术 FLASH - NAND (SLC)
• 内存容量 4Gbit
• 存储器结构 512M x 8
• 内存接口 Parallel
• 写入周期时间 - 字，页 25ns
• 访问时间 20 ns
• 电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
• 工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 67-VFBGA
• 供应商器件封装 67-VFBGA (6.5x8)